대체로 가스 분자 또는 원자가 서브스트레이트에 가하는 기계적 충격에 기초해 물질을 제거하는 식각 공정. 이러한 공정은 비등방성이 높지만 선별성이 낮다.

Etching process in which the material removal is largely based on mechanical impacts of the gas molecules or atoms on the substrate. Such processes feature high anisotropy, but poor selectivity.