가스 방전 시에 반응성 원자 또는 이온(산소, 염소, 불소와 같은)이 생성되는 건식 식각 기법. 반응성 이온 식각은 이온이 플라즈마와 서브스트레이트 사이의 고지향성 경계층에서 가속되며 따라서 경사벽에 깊은 홈을 만들 수 있다는 점을 이용한다.

A dry etch technique in which reactive atoms or ions (like oxygen, chlorine, fluorine) are generated in a gas discharge. Reactive ion etching makes use of the fact that ions are accelerated in the boundary layer between plasma and substrate with high directivity and are thus able to create deep grooves with steep walls.