SiO2. 지구의 지각에 가장 풍부하게 존재하는 화합물이며 경질이고 열안정성을 갖고 있으며 매우 우수한 절연물이다.
미소전자 부문에서 절연층으로 매우 널리 사용되며, 대체로 순수 규소를 산화시켜 생성한다.
할로겐 함유(특히 불소 함유) 공정 가스를 사용해 대상 규소를 노출시키는 플라즈마 공정을 이용해 식각 처리할 수 있다.

SiO2, most abundant compound of the earth’s crust, hard and thermally stable, very good insulater. Very widespread application in microelectronic as insulating layer, mostly generated by oxidation of pure silicon. Can be etched in a plasma employing process gases containing halogens (in particular containing fluorine), thus laying bare the underlying silicon.