이온 빔 식각은 건식 식각 공정으로 간주된다.이온 식각과 반대되며, 반응성 입자들이 별도의 이온 소스에서 제공되며 가속 그리드를 통해 식각 챔버 안으로 추출된다.

 Ion beam etching is counted as a dry etching process.
As opposed to ion etching, the reactive particles are provided in a separate ion source and are extracted into the etching chamber through an accelerating grid.